Vddq что это

Описание напряжений на материнских платах — процессоры Intel.

Одним из самых распространенных способов отодвинуть предел разгона того или иного компонента, является увеличение подаваемого на него напряжения. Но в настоящее даже базовые материнские платы предоставляют несколько производных величин помимо основного напряжения, а в моделях класса high-end этих значений несметное количество. Порой даже опытным энтузиастам разгона трудно понять значение того или иного параметра.

Первыми в данном вопросе путаницу вносят производители материнских плат. Притом, что производители CPU и наборов микросхем дают официальные названия всех напряжений, каждый производители материнских плат, по непонятным причинам, присваивают им свои названия. И что самое интересное, в мануалах к платам производитель не объясняет значение того или иного параметра. Зачастую объяснение в руководстве к материнской плате ограничивается простым повторением, что эта величина позволяет менять эту «величину».

Чтобы лучше понять информацию о различных напряжениях материнской платы, сначала рассмотрим, какие названия напряжений производители CPU дают своим продуктам.

Процессоры производства Intel используют следующие напряжения (приводятся официальные названия):

— VCC. Основное напряжение CPU, которое неофициально может называться, как Vcore. Обычно, когда говорят “напряжение центрального процессора”, то имеют в виду данную величину. Опция, которая управляет данным напряжением на материнских платах, может называться “CPU Voltage”, “CPU Core”, и т.д.

— VTT. Напряжение, подаваемое на интегрированный контроллер памяти (для CPU, где есть этот компонент), на шину QPI (также, если таковая имеется в процессоре), на шину FSB (для CPU на данной архитектуре), на кэш памяти L3 (если присутствует), на шину контроля температуры (PECI, Platform Environmental Control Interface, если данная особенность присутствует в CPU), а также на другие схемы, в зависимости от модели и семейства CPU. Важно понять, что на процессорах AMD “VTT” обозначается другое напряжение, а VTT на процессорах Intel — это эквивалент VDDNB на процессорах AMD. Данное напряжение изменяться посредством опций “CPU VTT”, “CPU FSB”, “IMC Voltage” и “QPI/VTT Voltage”.

— VCCPLL. Напряжение, используемое в CPU, для синхронизации внутренних множителей (PLL, Фазовая автоматическая подстройка частоты). Это напряжение может быть изменено с помощью “CPU PLL Voltage”.

— VAXG. Напряжение, подаваемое на видеоконтроллер, интегрированный в CPU. Доступно на Pentium G6950, Core i3 5xxx и Core i5 6xx процессоры. Эта опция может называться “Graphics Core”, “GFX Voltage”, “IGP Voltage”, “IGD Voltage” и “VAXG Voltage”.

— CPU clock voltage. Некоторые материнские платы позволяют Вам менять напряжение базовой частоты CPU. Это можно делать через опции, называемые “CPU Clock Driving Control” or “CPU Amplitude Control”.

Процессоры Intel. Напряжения, относящиеся к памяти.

В то время, как у всех процессоров производства AMD есть встроенный контроллер памяти, то у процессоров Intel, эта особенность присутствует у более новых моделей (Core i3, Core i5 и Core i7). Поэтому установка напряжений, относящихся к памяти, может быть произведена через настройки CPU или северного моста в составе набора микросхем (MCH, Memory Controller Hub), в зависимости от Вашей платформы. По этой причине напряжения и были разнесены на две группы.

На шине памяти может присутствовать три различных вида напряжений:

— VDDQ. Сигнальное напряжение на шине памяти. JEDEC (организация, стандартизирующая память) называет эту величину напряжением SSTL (Stub Series Termination Logic). Это распространенная величина напряжения памяти, и она может скрываться за следующими названиями: “DIMM Voltage”, “DIMM Voltage Control”, “DRAM Voltage”, “DRAM Bus Voltage”, “Memory Over-Voltage”, “VDIMM Select”, “Memory Voltage” и т.д. Значение по умолчанию для этой линии 1.8 в для памяти DDR2 (SSTL_1.8) или 1.5 в для DDR3 (SSTL_1.5).

— Termination voltage. Напряжение, подаваемое на логические схемы в чипах памяти. По умолчанию данное напряжение устанавливается, как половина значения напряжения

— VDDQ/SSTL (основное напряжение на памяти). Эта опция может быть обозначена как “Termination Voltage” or “DRAM Termination”. Обратите внимание, что для процессоров AMD это напряжение называется VTT, а в случае с процессорами Intel, VTT — это вторичное напряжение процессора (см. предыдущую страницу).

— Reference voltage. Референсное напряжение, которое определяет уровень напряжения на контроллере памяти и модулях памяти. При определенном значении Reference voltage напряжения на шине памяти ниже определяются как “0”, а выше этого значения, как “1”. По умолчанию значение Reference voltage составляет половину напряжения SSTL (коэффициент 0.500x), но некоторые материнские платы позволяют Вам изменять это отношение, обычно посредством опций “DDR_VREF_CA_A”, “DRAM Ctrl Ref Voltage” и т.п. “CA”, “Ctrl” and “Address” относятся к линиям управления шины памяти (официальное название JEDEC для этого напряжения — VREFCA). “DA” and “Data” относятся к линиям данных шины памяти (официальное название JEDEC для этого напряжения — VREFDQ). Эти опции настраиваются при помощи установки коэффициента. Например, значение “0.395x” означает, что референсное напряжение будет равно 0.395 от величины напряжения SSTL. Обычно, материнские платы на платформе Intel, позволяют Вам управлять этими напряжениями раздельно для каждого канала памяти. Таким образом, опция “DDR_VREF_CA_A” определяет референсное напряжение для канала A, а “DDR_VREF_CA_B” тоже самое для канала B.

Процессоры Intel. Напряжения, относящиеся к набору микросхем.

Опции, связанные с набором микросхем, включают все напряжения, которые не были описаны ранее:

— North bridge voltage. Это напряжение, которое подается на северный мост в составе набора микросхем системной платы. Отметим, что Intel называют северный мост, как MCH (Memory Controller Hub, на материнских платах для процессоров без интегрированного контроллера памяти), IOH (I/O Hub, на материнских платах, под CPU со встроенным контроллером памяти. Реализация набора микросхем в двух чипах) или PCH (Platform Controller Hub, на материнских платах, где CPU также имеет интегрированный контроллер памяти, но набор микросхем реализован в виде одного чипа). Таким образом, название данной опции может немного изменяться в зависимости от платформы. В случае наборов микросхем PCH существует два отдельных напряжения, VccVcore (обычно обозначается в настройках материнской платы как “PCH 1.05 V” или “PCH PLL Voltage” и является основным напряжением чипа), а также напряжение VccVRM (такие опции, как “PCH 1.8 V” или “PCH PLL Voltage” регулируют напряжение, подаваемое на внутренние множители чипа).

— South bridge voltage. Напряжение, подаваемое на чип южного моста. Intel называют чип южный моста — ICH (I/O Controller Hub). Название опции, отвечающей за установку данного напряжения, может быть “SB Voltage” and “ICH Voltage”.

— PCI Express voltage. Если Вы хотите изменить напряжение PCI Express, то нужно будет сначала определить, каким образом в Вашей системе управляются слоты и линии PCI Express. Например, некоторые CPU от Intel, могут управлять одной x16 или двумя x8 PCI Express линиями для подключения для видеокарт, а низкоскоростными PCI Express управляет набор микросхем (PCH). На некоторых других платформах управление слотами PCI Express для видеокарт осуществляется северным мостом (MCH или IOH), в то время как низкоскоростными PCI Express, управляет чип южного моста (ICH). Напряжение, используемое на линиях PCI Express, обычно, регулируется аппаратно, поэтому оно автоматически изменяется при изменении напряжений CPU, северного (PCH/MCH) или южное моста, в зависимости от того, где реализовано управление линиями PCI Express. В некоторых наборах микросхем (например, Intel X58) есть возможность устанавливать напряжения для линий PCI Express. На материнских платах, основанных на таких чипсетах, Вы найдете специальные опции для установки напряжения PCI Express. Например, “IOHPCIE Voltage” изменяет напряжение линий PCI Express, которым управляет северный мост материнской платы (IOH). А при помощи такой опции, как “ICHPCIE Voltage” можно устанавливать напряжение линий ICHPCIE Voltage, которыми управляет южный мост материнской платы (ICH).

— PCI Express clock voltage. Некоторые материнские платы позволяют Вам устанавливать напряжение элементов, отвечающих за частоту шины PCI Express. Данный параметр может называться “PCI-E Clock Driving Control” или “PCI Express Amplitude Control”.

На что обратить внимание при разгоне оперативной памяти DDR5?

Самый простой и быстрый способ разгона модулей DDR5 (как и прежде) — профили XMP, ровно как и вспомогательные утилиты, интегрированные в UEFI BIOS материнских плат (например, у MSI это Memory Try It!).

Главная / Обзоры и рецензии / Технологии / На что обратить внимание при разгоне оперативной памяти DDR5?

DDR5, быть может, и не является абсолютным стандартом сегодняшнего дня (многие перейдут на него в ближайшие годы, но точно не сейчас), однако оверклокеры и любители современных технологий уже во всю осваивают возможности новой оперативки. Отличается ли процесс разгона модулей DDR5 от DDR4? На что обратить внимание в ходе экспериментов? Вопросы существуют, и они требуют безотлагательных ответов. В данном материале поговорим о наиболее важных аспектах.

Высокая тактовая частота или низкие тайминги?

Самый простой и быстрый способ разгона модулей DDR5 (как и прежде) — профили XMP, ровно как и вспомогательные утилиты, интегрированные в UEFI BIOS материнских плат (например, у MSI это Memory Try It!).

Если этого недостаточно, необходимо перейти к ручному вмешательству. Постепенно увеличивайте тактовую частоту памяти и прогоняйте бенчмарк AIDA64. Разгоняйте ОЗУ до тех пор, пока система перестанет вести себя стабильно.

Производительность памяти зависит не только от тактовой частоты, но и от таймингов (чем они ниже, тем лучше). В ходе оверклокинга модулей DDR5 обратите внимание на три ключевых тайминга:

После того, как вы найдете максимально стабильную тактовую частоту вашего комплекта, поэкспериментируйте с указанными выше таймингами (постепенно снижайте показатели и вновь прогоняйте тест AIDA64).

При разгоне оперативной памяти зачастую не обойтись без корректировки вольтажа. В случае с DDR5 необходимо обратить внимание на следующие показатели напряжений:

• CPU SA Voltage
• CPU VDDQ Voltage
• DRAM Voltage
• DRAM VDDQ Voltage

Правильные значения помогут в деле достижения максимальных результатов и стабильной работы ПК.

Высокая тактовая частота или низкие тайминги? На этот вопрос нет однозначного ответа, потому что разные сочетания дают разный результат.

Многое зависит и от конкретных операций/задач (какие-то лучше реагируют на низкие задержки, какие-то — на дополнительные мегагерцы). Оптимальное значение придется искать самостоятельно.

Выбор и настройка компьютера (3)

А ну так на z690 частоты оперативки низкие, за исключением всяких кингпинов и юнифаек. Потому и для обдува оперативки ничего нет Моя в TM5 спокойно достигает 70 даже без особого разгона (с отрытой крышкой корпуса даже)

BY_Pashka Senior Member
Город:
# 12 апреля 2023 13:32 Редактировалось BY_Pashka, 1 раз.

НовостЯ по оператосу ДДР5 код выделить все Важный совет по разгону памяти от 7empe.
Найдено на ocn.
1. Можно смело повышать tRAS, выигрывая в стабильности и не проигрывая в производительности. Падение производительности (в аиде снижается чтение/запись/копирование на 2 Гб/с) идет при х>=31.
Начинать c большего значения
tRAS=tRCD+tCL+tRTP+x или
tRAS=tRCDWR+tCWL+tWR+x, где х зависит от напряжения VDD2:
1.50V/ х=12
1.45V/ х= 6
1.40V/ х= 2
2. VDD2 выставлять >=1.40, иначе не пройти тест VST или N32 в y-cruncher. VDD2-это напряжение, выдаваемое материнской платой на соединение между модулями памяти и процессором, от его повышения контроллеру процессора не станет плохо.
А вот VDD TX — это уже напряжение на самом процессоре, от чего контроллеру становится плохо, поэтому держать его нужно стараться как можно меньше.

Скальп- дело наживное. (44-736-90-65)
Ukralipersa Senior Member
Город:
# 12 апреля 2023 13:32

andrewkostin: DarthWin: колхозинг

Вот да, как блин эту вертушку прикручивать? Ни в одном корпусе это не предусмотрено. На видюху поставить.

Добавлено спустя 2 минуты 28 секунд
Vdd2, vdd tx — не видел такого.

Форум стал похож на womans.ru, там телочки тоже объединяются «дружить против какой-нибудь UkralipersЫ».© cuedro, форум Onliner.by, 2023

xyligano Senior Member
Город:
# 12 апреля 2023 13:37

Ukralipersa: Vdd2, vdd tx — не видел такого.

vdd2 = imc vdd
на 100mV больше, чем vddq tx vdd tx = vddq tx
1.25V минимум
1.35V — максимум без экстремального разгона с обдувом оба напряжения никак не связаны с VDD и VDDQ на памяти

Добавлено спустя 13 минут 33 секунды

BY_Pashka: 1. Можно смело повышать tRAS, выигрывая в стабильности и не проигрывая в производительности. Падение производительности (в аиде снижается чтение/запись/копирование на 2 Гб/с) идет при х>=31.
Начинать c большего значения
tRAS=tRCD+tCL+tRTP+x или
tRAS=tRCDWR+tCWL+tWR+x, где х зависит от напряжения VDD2:
1.50V/ х=12
1.45V/ х= 6
1.40V/ х= 2
2. VDD2 выставлять >=1.40, иначе не пройти тест VST или N32 в y-cruncher.
VDD2-это напряжение, выдаваемое материнской платой на соединение между модулями памяти и процессором, от его повышения контроллеру процессора не станет плохо.
А вот VDD TX — это уже напряжение на самом процессоре, от чего контроллеру становится плохо, поэтому держать его нужно стараться как можно меньше.

бред и фантазии, увы
как и большинство советов по памяти DDR5 сейчас 1) tRAS = tCL + tRCD
при этом не забываем, что:
tRC = tRAS + tRP
и регулировки tRC у нас нет. оно считает само по формуле tRAS + tRP таким образом повышение tRAS повышает tRC автоматически
что делает все ваши потуги настройки памяти БЕССМЫСЛЕННЫМИ 2) tRAS — зависимый от напряжения тайминг
его можно жать напряжением ниже tRCD без потери производительности
и по балансу находить минимальный tRC, что будет вести к росту производительности 3) к сожалению для 7empe, и прочих элморов с билдзоидами напряжения DDR5 не могут интерпретироваться с DDR4
IMC VDD — напряжение контроллера MC для КОНКРЕТНОГО экземпляра процессора
один процессор может не работать ниже 1.45V, а второй наоборот — не хотеть работать при превышении 1.35V
это строго индивидуальное напряжение строго конкретного процессора и его контроллера
его требуется подбирать
но следует держать -100mV от этого напряжения для установки VDDQ TX

Гайд по разгону оперативной памяти DDR5 от Micron на платформе Intel

На момент написания обзора купить DDR5 память в России практически невозможно — полки магазинов абсолютно пусты. Мне повезло — российское представительство Kingston поделилось комплектом модулей оперативной памяти Kingston FURY Beast с эффективной частотой 4800 МТ/с. Обзор на оперативку можно прочитать тут, а в этом материале я расскажу, как разогнать оперативную память DDR5 с чипами Micron.

Первое, что нужно знать — какая у вас оперативная память. Практически все экземпляры оперативки с частотами XMP 4800, 5200 и 5400 построены на базе Micron Rev A, но некоторые модули прячут под радиаторами чипы производства SK Hynix. Точно определить, кто является производителем чипов на вашей оперативке поможет гугл, QVL-листы производителей материнских плат и таблица XMP 3.0 сертификации Intel. Разгон модулей оперативной памяти различается в зависимости от производителя IC, а так как я успел разогнать и протестировать только оперативку от Micron — сегодня мы сконцентрируемся на ней.

Разные производители материнских плат по-разному обзывают напряжения и тайминги, прячут их в разные подменю. В этом гайде разгонять будем на примере материнской платы ASUS ROG MAXIMUS Z690 HERO, обзор которой лежит тут. Вдаваться в подробности о том, как найти тот или иной пункт или перевести тот или иной тайминг на вашей материнской плате я не буду.

Конфигурация системы:

• Процессор: Intel Core i9-12900K
• Оперативная память: 32Gb Kingston Fury @ 4800 MT/s CL38
• Материнская плата: ASUS ROG MAXIMUS Z690 HERO
• Системный SSD: TeamGroup MP33 1TB
• SSD с играми: Kingston KC2500 1TB
• Охлаждение CPU DDR5: Arctic Liquid Freezer II-420
• Блок питания: Seasonic FOCUS PX-750 Platinum
• Корпус: Phanteks Eclipse P500A
• Операционная система: Windows 11 Pro, 21H2
• Видеокарта: ASUS ROG Strix LC RX 6800 XT OC/UV

На текущий момент адекватные тесты стабильности для DDR5 отсутствуют, поэтому приходится использовать сразу четыре разных программы для тестирования стабильности нашего разгона. Одной или двух, к сожалению, не достаточно — нестабильность может отсутствовать в 3/4 и быстро проявляться в четвертой программе. Для тестирования стабильности в первую очередь будем использовать программу Testmem5. Нам будут интересны два конфига — usmus v3 для легкого тестирования, которое длится ~35 минут, и тяжелый absolut для финальной верификации. В дополнение к Testmem5 рекомендую использовать Karhu, за которую нужно платить, y-Cruncher n32 тест и OCCT Large AVX2 Extreme. За температурными показателями будем следить при помощи актуальной версии HwInfo64.

Алгоритм разгона оперативной памяти безумно прост: находим рабочую частоту и выставляем напряжение с запасом, меняем один тайминг, проверяем стабильность легким тестом, меняем второй, проверяем стабильность, стабилизировали группу таймингов, чтобы они выживали легкий тест — проверяем комплектом тестов. Нашли ошибки — удаляем тайминги по одному, чтобы понять где проблема.

Фиксируем результат, сохраняем профиль разгона, переходим к следующей группе таймингов. По окончании начинаем понижать напряжения, пока не найдем нестабильность, повышаем его с запасом 10-15 милливольт. Разгон оперативки занимает много времени ввиду необходимости постоянно тестировать стабильность выставленных таймингов, отчего предупреждаю сразу — за день не управитесь.

Переходим к разгону

Во-первых, нам интересны 5 пунктов напряжения:

• VCCSA (System Agent) — основной контроллер памяти, для наших частот достаточно 0.95-1 вольт
• IMC (Memory Controller Voltage) — для наших частот достаточно 1.10-1.20 вольт
• VDD выставляем на 1.27-1.3v — этот показатель должен быть ниже VDDQ на 50 милливольт
• VDDQ выставляем на 1.32-1.35v — этот показатель должен быть выше VDD на 50 милливольт
• IVR Transmitter — достаточно на уровне IMC 1.10-1.20 вольт

VDD на Микронах плохо скалируется выше 1.25v, VDDQ на микронах должен быть выше примерно на 0.05v, однако недостаток напряжения может проявляться в нестабильности определенных таймингов, поэтому я рекомендую выставить напряжение с запасом в районе 1.30 VDD 1.35 VDDQ или даже немного выше.

Модули оперативной памяти DDR5 ОЧЕНЬ ГОРЯЧИЕ! Переезд PMIC на сами планки создает серьезный нагрев модуля, посему перед разгоном позаботьтесь о достаточном обдуве в регионе оперативной памяти внутри корпуса — подвиньте вентиляторы, чтобы они хорошо обдували память. Микроны теряют стабильность на температурах выше 61-63 °C по информации с внутренних датчиков, рекомендую держать температуры ниже 59 градусов. Любой серьезный разгон оперативной памяти DDR5 ТРЕБУЕТ активного охлаждения — повесьте или посадите 120 мм вентилятор в регионе оперативной памяти на время тестов и разгона, чтобы быть уверенным в отсутствии перегрева.

Это правило важно соблюдать изначально, чтобы быть уверенным, что ошибки в тесте = результат настройки таймингов, а не перегрева планок!

На текущий момент не совсем понятно в чем различие между PMIC разных производителей — возможно они влияют на характеристики памяти и ее потенциал разгона, возможно не влияют. Так или иначе Микронов в природе существует два типа — фиговые и очень фиговые. Фиговые разгонять просто, очень фиговые не совсем. Мне повезло с очень фиговыми модулями Микрон.

• Очень фиговые модули Микрон разгоняются до 5400 МТ/с
• Просто фиговые модули Микрон разгоняются до 5600 МТ/с
• В природе существуют «золотые» модули Микрон, которые стабильно работают на 5800 МТ/с
• Разница между модулями ~ 2 нс задержки

Пункт 1 — выставляем напряжения.

На этом этапе мы просто загружаем XMP профиль оперативки и переходим регулировать напряжения, выставляем рекомендуемые значения и начинаем короткий тест при помощи testmem5, фиксируем температуры памяти. Держится ниже 60 — хорошо, повышается — придумываем более прохладные условия работы, устанавливаем доп вентиляторы, открываем форточку и т.д. Убедившись, что память не перегревается и не создает проблем, переходим к следующему пункту.

Пункт 2 — определяем тип памяти.

На этом этапе мы выясняем, насколько нам не повезло, но для начала выставим пару необходимых настроек в подменю настройки памяти. Во-первых — MRC Fast Boot = Disabled, это заставит материнскую плату тренировать тайминги лучше и повысит шанс стабилизировать настройки. Во-вторых — во вкладке Training находим пункт RTL Training или Round Trip Latency Training = Enabled.

Выставляем XMP значения для оперативной памяти на частоте 5600 МГц — 36-40-40-70. Если компьютер загружается и ошибок в коротком тесте нет — скорее всего вам повезло, поэтому мы начинаем катать все четыре теста, чтобы убедиться, что напряжения хватает и 5600 реально стабильны с вашим комплектом оперативки. Если компьютер перезагружается или тест выдает ошибки — поднимаем напряжения VDD и VDDQ на ~20-30 милливольт.

Стабилизировав частоту на 5600 МГц переходим к следующему пункту.

Если 5600 никак не работает стабильно, останавливаемся на частоте 5400 и первичных таймингах 36-40-40-70, тестируем стабильность напряжения и переходим к следующему пункту, если ошибок не наблюдается.

Пункт 3 — первичные тайминги

• tCL = 34 или 36. Нечетные тайминги пока не работают на Intel.
• tRCD = 38, 39 или 40.
• tRP = на DDR5 можно отцеплять от tRCD без потерь в стабильности/производительности. Ставим на значения между tCL и tRCD
• tRAS = 46-48-50-52—54-56-58, жирным выделены самые вероятные значения, которые будут стабильны

Тестируем коротким тестом каждый тайминг, после этого все вместе комплектом тестов. Стабильно — идем дальше.

Пункт 4 — вторичные тайминги

• tRRD_sg = 4 или 6 или 8
• tRRD_dg = 4, в редком случае 8

Выставляем пару, тестируем стабильность

• tRFC = от 350 до 380

Желательно брать +8-+10 от минимально стабильного значения, чтобы наверняка

• tREFI = 65535 безопасно, выше микрон не вытягивает
• tRTP = 8 , 10 или 12
• tFAW = 16 или 32

tFAW один из самых важных таймингов для повышения производительности, в паре с tREFI они сильно увеличивают нагрев модулей

• tCKE = 6 или 8о

tCKE мало влияет на производительность, но помогает стабилизировать некоторые другие тайминги

Теперь нам нужно корректно установить TWR и связанные с ним тайминги. Минимальный TWR по спецификации JEDEC = 48, однако DDR5 стабильно работает на значениях значительно ниже. Проверив оба варианта я не нашел увеличения производительности от TWR ниже 48, отчего я не вижу смысла ставить его на иную отметку. На частотах 6600+ может понадобиться увеличение TWR, но к Микронам это не относится.

• tWCL = tCL-2, если нестабильно = tCL

С tWR ситуация немного запутанная. Сам параметр tWR в биосе выставляет параметр tWRPRE, но при этом сам тайминг может немного меняться в реальности. Параметр tWRPDEN гарантировано фиксирует tWR. Выставляет по следующим формулам:

• tWR=48
• tWRPRE=tWR+tWCL+6
• tWRPDEN=tWRPRE+2

Выставляем все три тайминга сразу, тестируем производительность. Иногда tWRPRE и tWRPDEN изначально выставляются корректно, иногда — нет, посему я рекомендую просто менять все три тайминга и не думать лишний раз об этом.

Следующие тайминги на материнских платах ASUS не трогаем — они выставляются через третичные тайминги tWRRD_sg и _dg, на всех остальных материнках выставляем значения обоих таймингов сразу

• tWTR_L = 14, 16 или выше
• tWTR_S = 8, 10, 12 или выше

Пункт 5 — третичные тайминги

Третичные тайминги мало влияют на производительность микронов, если надоело разгонять — дальше можно не трогать.

• tRDRD_SG = 11, 12 или 14
• tRDRD_sg = 7 или 8
• tRDWR_sg = 17, 18, 19 или 20
• tRDWR_dg = 17, 18, 19 или 20
• tWRWR_sg = 18, 20, 22, 24 и т.д.
• tWRWR_dg = 8
• tWRRD_sg = минимум 52, выше шагом +2
• tWRRD_dg = минимум 48, выше шагом +2

DR и DD тайминги можно не трогать — они нужны при использовании Dual Rank памяти или некомплектных модулей разных производителей. На Z690 независимо от типа памяти — DDR4 или DDR5 DR=DD! Нельзя делать DR=7 и DD=1 — система будет нестабильна или вообще не запустится!

Проверяя стабильность DR и DD таймингов при использовании Dual Rank памяти не забываем проверять скорость чтения через аиду — если неправильно выставили зависимость DD от DR — пропускная способность упадет на 20-40%!

При использовании Single Rank памяти (модули 16 Гб с чипами с одной стороны) просто выставляем _dr и _dd = 4

Все остальное можно не трогать, выжать из микрона больше вряд ли получится.

Тестируем производительность всеми тестами стабильности. Если есть ошибки — чаще всего виноваты tRDWR_sg _dg или tWRRD_sg _dg.

Пункт 6 — фиксируем результаты

Зафиксировав результаты и подтвердив стабильность, наступает время понижать напряжение, пока не потеряем стабильность.

Начинаем с VDD, опускаем вниз шагами в 0.05v и ищем, пока не потеряем стабильности. Проверяем исключительно набором тестов — при недостатке напряжения система будет зависать и перезагружаться. После этого переходим к VDDQ и повторяем процесс.

У меня с фиговым комплектом получилось следующее:

Пункт 7 — нарушаем JEDEC

На этом пункте можно флексить, делиться своими таймингами и рассказывать друзьям, какие вы оверклокеры. Главное избегать особо одаренных граждан, которые на досуге читают документы JEDEC, анализируют тайминги и пишут рефераты об их зависимости и принципах работы памяти. Попадете на такого — мигом загнобит за то, что вы какой-нибудь тайминг некорректно выставили.

Не обращайте внимания. Стабильность есть? Есть. Производительность выросла? Выросла. FPS в играх выше? Выше. Вот и славно.

На этом сегодня все, а в следующем материале мы затронем “адаптивный” разгон новых процессоров Intel Core 12-го поколения, который позволит получить до 5.7 ГГц на одно-два ядра, оставаясь в комфортном термопакете и не перегружая его излишним напряжением. То, что нужно для повседневной работы.