240 pin что это

DDR4 — 288pin или 240pin

Вот что меня смущает, у продавца указано что «Форм-фактор памяти 240-pin DIMM», а мать работает с 288-pin DIMM.
ВОПРОС Знатокам, станет ли эта память на эту мать?(на оф сайти асрок такой памяти с списке поддерживаемых нет, но с идентичными таймингами есть)
Я так понимаю что вся ддр4 идет 288-pin, а 240пин это ддр3.(или я ошибаюсь)?
На оф сайте http://www.goodram.com/ru/prod. dram-play/ есть визуально идентичная память выше указаной, но самой такой модели GY2133D464L15/16GDC на сайте нет, по этому я не могу проверить инфу из первоисточника.
Так что либо описка на сайте продавца в названии продукта, либо в описании (240 вместо 288)
В сети искал эту модель памяти, но эта характеристика «pin» больше негде не указана.

Может зря себя накрутил, кто в курсе вопроса разъясните пожалуйста мне.
Заранее спасибо

94731 / 64177 / 26122
Регистрация: 12.04.2006
Сообщений: 116,782
Ответы с готовыми решениями:

Совместимость DDR4 2133 и DDR4 2400
Добрый день! Материнская плата Gygabyte GA-B250-HD3, процессор Intel Pentium G4600.Установленная.

2 so dimm ddr4 по 4gb 2666mhz вместо одной ddr4 4gb рекомендованной 2400mhz, тайминги
Моноблок Asus V221ICGK-BA006T Стояла планка Samsung ddr4 4gb 2400mhz, cpu-z не смотрел показания.

DDR3 или DDR4
Доброго времени суток. Назрела потребность приобретения ПК, задумался над тем, актуальна ли сейчас.

DDR3 или DDR4 материнская плата
Собираюсь приобрести процессор i3 6100 skylake и материнскую плату но не могу определиться .

DIMM

DIMM (Dual In-line Memory Module) — двухсторонний модуль памяти. Это форм-фактор довольно-таки устаревших модулей памяти DRAM. Своим выходом сменил форм-фактор SIMM. Ключевое отличие DIMM от своего предшественника заключено в контактах, которые расположены на разных сторонах модуля. Эти контакты — независимы, в отличие от принципа, на котором построен форм-фактор SIMM. Там контакты симметричны и расположены на разных сторонах модуля. Они замкнуты между собой и передают идентичные сигналы.

Также важно отметить, что DIMM способен обнаруживать и исправлять ошибки в 64 (без контроля четности) или 72 (с контролем четности или кода ECC) линиях передачи данных. В SIMM эта функция была реализована только c 32 линиями.

В конструктивном плане, DIMM представляет собой модуль памяти. Выглядит как длинная плата прямоугольной формы, оснащенная группой контактных площадок, расположенных с обеих сторон, на протяжении всей длины платы. Плата устанавливается в специально отведенный для этих целей разъем и фиксируется по обоим торцам посредством защелок. Микросхемы располагаются либо с одной, либо с обеих сторон платы.

В отличие от SIMM, который применяется для асинхронной памяти FPM и EDO, форм-фактор DIMM предназначается для памяти типа SDRAM.

Модули рассчитаны на напряжение питания в 3,3 В. Также есть экземпляры и с 5 В питанием, но встречаются они редко. Впервые в форм-факторе DIMM появились модули с памятью типа FPM, затем — EDO. Как правило, такими модулями оснащались серверы и дорогие ПК.

SO-DIMM

Помимо DIMM, существует также модуль SO-DIMM. Он обычно используется в ноутбуках, либо как расширение памяти на плате. Отличается от DIMM более компактными габаритами.

Впоследствии, модули DIMM стали оснащаться памятью типа DDR, DDR II и DDR III. Эти модули отличались повышенным быстродействием.

На выход на рынок форм-фактора DIMM во многом повлияло рождение процессора Pentium с 64-разрядной шиной данных. В профессиональных рабочих станциях (например, SPARCstation) данный тип памяти применялся уже с начала 90-х годов.

Массовый переход на данный тип памяти в ПК общего назначения состоялся в конце 90-х, во времена процессора Pentium II.

Вариации

DIMM имеет следующие типы:

72-pin SO-DIMM (не совместим с 72-pin SIMM) — применяется в FPM DRAM и EDO DRAM;
100-pin DIMM — применяется в принтерах SDRAM;
144-pin SO-DIMM — применяется в SDR SDRAM (реже — в EDO RAM) в портативных компьютерах;
168-pin DIMM — применяется в SDR SDRAM (реже — в FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах);
172-pin MicroDIMM — применяется в DDR SDRAM;
184-pin DIMM — применяется в DDR SDRAM;
200-pin SO-DIMM — применяется в DDR SDRAM и в DDR2 SDRAM;
214-pin MicroDIMM — применяется в DDR2 SDRAM;
204-pin SO-DIMM — применяется в DDR3 SDRAM;
240-pin DIMM — применяется в DDR2 SDRAM, в DDR3 SDRAM и в FB-DIMM DRAM.

ООО «Альтербит», 197183, Санкт-Петербург, Комендантский проспект, 2 схема проезда
Телефон: (812) 309-2602 ← Звони если хочешь купить сервер, схд, компьютер

Оперативная память

Форм-фактором называется стандарт, который определяет основные показатели модуля памяти (габариты, число и принцип расположения контактов). На рынке существует следующий ряд форм-факторов памяти, они физически несовместимы между собой:

Рассмотрим их подробнее:

SIMM (Single in Line Memory Module). Модули форм-фактора SIMM бывают двух версий: 30-контактные и 72-контактные. Каждый контакт обладает выходом на обе стороны платы.

DIMM (Dual in Line Memory Module). Модули форм-фактора DIMM, обычно, бывают следующих типов: 168-контактные, 184-контактные, 200-контактные и 240-контактные. Независимые контактные площадки располагаются по обе стороны платы.

FB-DIMM. Данный стандарт модулей памяти используется в серверах. В механическом плане, этот тип модуля идентичен модулям памяти DIMM 240-pin, но при этом категорически несовместим с обычными небуферизованными модулями DDR2 DIMM и DDR2 DIMM (Registered).

SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Уменьшенная вариация стандарта DIMM. Применяется, в основном, в ноутбуках и устройствах типа Tablet PC. Распространенные модули форм-фактора SO-DIMM — 144-контактные и 200-контактные. Реже встречаются 72- и 168-контактные.

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module). Еще более уменьшенная в габаритах, по сравнению с SO-DIMM, версия DIMM. В основном, данный форм-фактор устанавливается в субноутбуки. Оснащается 60-контактной площадкой. На рынке существуют следующие варианты MicroDIMM: 144-контактный SDRAM, 172-контактный DDR и 214-контактный DDR2.

RIMM. Данный форм-фактор распространяется на все модули памяти типа RIMM (RDRAM). На рынке существуют следующие вариации данного форм-фактора: 184-контактная, 168-контактная и 242-контактная.

Важно: при выборе форм-фактора модуля оперативной памяти, необходимо иметь ввиду, что материнская плата, на которую в дальнейшем будет устанавливаться данная память, должна иметь поддержку выбранного форм-фактора оперативной памяти.

Типы оперативной памяти

Тип — очень важный параметр оперативной памяти. Им определяется ее внутренняя структура и основные характеристики. В настоящее время, на рынке существуют 5 основных типов оперативной памяти:

Рассмотрим подробнее каждый из них:

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) — синхронная динамическая память, обладающая произвольным доступом. В отличие от типов памяти предыдущих поколений, обладает функцией синхронизации с системным генератором. Это дает возможность контроллеру памяти точно определять время готовности данных, что существенно сокращает временные задержки, возникающие в процессе циклов. В недалеком прошлом, данный тип оперативной памяти широко применялся в ПК, однако сегодня тотально вытеснен с рынка типом DDR и его «последователями».

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) — синхронная динамическая память, обладающая случайным доступом и удвоенной скоростью передачи. Ключевым преимуществом типа памяти DDR SDRAM перед типом SDRAM является увеличенная вдвое пропускная способность памяти, при той же тактовой частоте. Так, за один такт системного генератора производится не одна, как в SDRAM, а сразу две операции с данными. Отсюда и название: Double Data Rate (удвоенная скорость передачи данных).

DDR2 SDRAM — следующее поколение памяти DDR, второе по счету. Являясь эволюционным продолжением DDR, новое поколение сохранило в себе принципы функционирования «предшественника». Ключевое отличие кроется лишь в том, что в новом типе производится выборка 4-х бит данных за один такт, тогда как в первом DDR осуществлялась 2-х битная выборка. Кроме того, DDR2 отличается более низким энергопотреблением, меньшим тепловыделением и большей рабочей частотой.

DDR3 SDRAM — следующее за DDR2 SDRAM поколение оперативной памяти. В нем применяется та же технология «удвоения частоты», что и в DDR2. Ключевыми отличиями нового поколения памяти от предшествующего являются: возможность работы на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление. Модули памяти DDR3 оснащены специальными «ключами», представляющими собой ориентирующие вырезы. Эти вырезы имеют явные отличия от «ключей» модулей памяти DDR2. Так, модули DDR3 и DDR2 не имеют совместимости со старыми слотами.

RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) — синхронная динамическая память. Автором и разработчиком данного стандарта является корпорация Rambus. Главное отличие типа RIMM от DDR-памяти заключается в увеличенной тактовой частоте, которую удалось добиться благодаря сокращению разрядности шины при одновременной передаче номера строки/столбца ячейки в ходе обращения к памяти. Обладая чуть более высокой производительностью, RDRAM, при выходе на рынок, была значительно дороже DDR. Это повлекло за собой практически тотальное вытеснение RIMM с рынка оперативной памяти.

Выбирая оперативную память, пользователь, прежде всего, должен ориентироваться на возможности имеющейся/выбранной материнской платы, поскольку в параметрах «материнки» заложена совместимость с тем или иным модулем памяти.

Что такое упаковка чипов?

Это определенный характер расположения чипов на модуле памяти. Модули могут быть как с односторонней, так и с двусторонней упаковкой. Когда микросхемы установлены с обеих сторон модуля, толщина модуля, соответственно, увеличивается. Физически, такие модули не могут устанавливаться в некоторые системы.

Что такое тактовая частота?

Тактовая частота — это максимальная частота системного генератора, на которой синхронизируются процессы приема/передачи информации.

В типе памяти DDR (а также DDR2 и DDR3) указывается двойное значение тактовой частоты. Это делается потому, что за один такт осуществляется две операции с данными.

Чем выше тактовая частота, тем большее количество операций производится за единицу времени. Это дает возможность приложениям достигнуть более стабильной и быстрой работы. При прочих равных параметрах, память с более высокой тактовой частотой обладает более высокой стоимостью.

Что такое совместимость модуля памяти?

Некоторые модули памяти предназначаются исключительно для определенных ПК и ноутбуков. Это — специальные модули, выпускаемые производителями строго для определенных моделей. Однако, существуют и модули широкого применения, которые доступны для установки на различного рода компьютеры.

Что такое радиатор модуля памяти?

Это специальные металлические пластины, установленные на микросхемах памяти. Основной их функцией является улучшение теплоотдачи системы. Обычно, радиаторы устанавливаются непосредственно на модули. Однако, монтировать их имеет смысл только на высокочастотные модули памяти.

ECC (Error Checking and Correction) — алгоритм, способный обнаруживать и исправлять случайные ошибки, возникшие в результате передачи данных в системе оперативной памяти. Ошибка не должна превышать 1 бит в байте.

Некоторые материнские платы рабочих станций имеют поддержку технологии ECC. Также, ею обладают почти все без исключения серверные платы.

Модули памяти с технологией ECC отличаются более высокой стоимостью, в сравнении с обычными модулями.

Объем памяти одного модуля

Рассчитать общий объем памяти можно, сложив объемы установленных в систему модулей памяти.

Обычному офисному компьютеру для работы в Интернете и простых приложениях хватит 512 Мб. Для комфортной работы с графическими приложениями потребуется 1 Гб (1024 Мб) памяти. Сложные графические программы, а также «тяжелые» компьютерные игры будут должным образом функционировать при 2 Гб (2048 Мб) памяти и выше.

Диапазон объема памяти одного модуля: от 0.03125 до 32.0 Гб.

Низкопрофильный модуль памяти

Модуль памяти уменьшенной (по сравнению с габаритами стандартного модуля) высоты. Как правило, устанавливается в серверные корпуса с заниженным профилем (Low Profile).

Напряжение питания модуля памяти

Каждый модуль оперативной памяти рассчитан на определенный показатель напряжения питания. Вот почему при выборе модуля памяти важно проверить поддержку вашей материнской платой требуемого напряжения питания.

Число чипов на модуле памяти

На одном модуле памяти может располагаться определенное количество чипов. Микросхемы этих чипов могут быть установлены как с одной, так и с обеих сторон платы модуля.

Диапазон количества чипов каждого модуля памяти: от 1 до 72.

Число ранков модуля памяти

Ранк — это область памяти, создаваемая чипами ее модуля. Обладает шириной 64 бита (72 бита, при наличии поддержки ECC).

В зависимости от конструкции, в модуле может быть расположено 1, 2 или 4 ранка.

В настоящее время, все серверные материнские платы обладают ограничением на суммарное количество ранков памяти. К примеру, если в материнской плате может быть установлено максимум 8 ранков или 4 двухранковых модуля, то свободные слоты не будут поддерживать дополнительные модули, поскольку это приведет к превышению установленного ограничения. Вот почему цена одноранковых модулей выше, в сравнении с 2-х- и 4-ранковыми.

Число модулей в комплекте

Модули памяти могут продаваться в наборе. На рынке, помимо одиночных планок, нередко встречаются комплекты по 2, 4, 6, 8 модулей памяти, обладающих идентичными характеристиками. Эти комплекты специально подобраны для работы в двухканальном режиме.

Применение двухканального режима значительно увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Таким образом, увеличивается и скорость работы запущенных приложений. Тем пользователям, которым необходима высокая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить особое внимание именно на такие наборы модулей памяти.

При покупке отдельных модулей памяти, важно помнить, что модули даже с идентичными характеристиками, от одного производителя, но приобретенные по отдельности, могут не сработать в паре. При этом необходимо учитывать, что сама материнская плата должна иметь поддержку двухканального режима работы памяти.

Число контактов в модуле памяти

Каждый модуль памяти обладает своим количеством расположенных на нем контактных площадок. Число контактов, находящихся в слоте оперативной памяти материнской платы, обязано совпадать с числом контактов на модуле.

Помимо идентичного количества контактов, совпадать должны и вырезы (ключи, препятствующие некорректной установке).

Диапазон количества контактов модуля памяти: от 144 до 244.

Что такое буферизованный модуль памяти?

Модуль памяти может оснащаться специальными буферами (регистрами). Эти буферы довольно-таки быстро производят сохранение поступивших в них данных, а также сокращают нагрузку на систему синхронизации, давая дополнительное свободное пространство контроллеру памяти.

Установленный между контроллером и чипами памяти буфер образует дополнительную задержку в ходе выполнения операций. Эта задержка составляет обычно 1 такт. Так, показателя высокой надежности можно добиться лишь путем сокращения (пускай и незначительного) быстродействия памяти.

Буферизированные модули памяти отличаются весьма высокой стоимостью и применяются в основном в серверах. Следует также отметить, что буферизованная и небуферизованная память не имеет между собой совместимости.

tRP — это количество тактов между командой закрытия строки и командой открытия следующей строки. По сути, этот показатель определяет то время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при другой активной строке: TRP + TRCD + CL.

Row Precharge Delay. Данный параметр определяет время повторной выдачи сигнала RAS. За это время контроллер памяти способен повторно выдать сигнал инициализации адреса строки.

tRCD — это количество тактов между командой открытия строки и непосредственным доступом к ее столбцам. Данный показатель включает в себя время, которое необходимо для чтения первого бита памяти, без активной строки: TRCD + CL.

RAS to CAS Delay — время задержки между определяющими сигналами адреса строки/столбца.

tRAS — это количество тактов между командой на открытие банка и командой на заряд. Это то время которое требуется на обновление строки. Данный показатель сочетается с показателем TRCD.

Activate to Precharge Delay — минимальное число циклов между активацией (RAS) и подзарядкой (Precharge) одного и того же банка памяти.

Что такое CAS Latency (CL)?

Данный показатель обозначает временную задержку между отправкой адреса строки/столбца в память и моментом запуска процесса передачи данных. Это время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при открытой нужной строке.

CAS — число тактов от момента запроса данных до момента их считывания. Является одной из ключевых характеристик модуля памяти. По сути, данный показатель определяет ее быстродействие. Чем ниже показатель CL, тем выше работоспособность памяти.

Chto takoe 240-pin DDR2 SDRAM slots

Это слоты на материнской плате для установки оперативной памяти стандарта DDR2. 240-pin обозначает, что для этих слотов требуется память с 240 контактами, а SDRAM обозначает форм-фактор для обыкновенных ПК.

Похожие вопросы

Ваш браузер устарел

Мы постоянно добавляем новый функционал в основной интерфейс проекта. К сожалению, старые браузеры не в состоянии качественно работать с современными программными продуктами. Для корректной работы используйте последние версии браузеров Chrome, Mozilla Firefox, Opera, Microsoft Edge или установите браузер Atom.